Производство полупроводниковых приборов имеет ряд особенностей, связанных с технологическим процессом изготовления и самой конструкцией полупроводниковых приборов, отличающей его от производства электровакуумных приборов.

Основным материалом для изготовления кристаллических полупроводниковых диодов и триодов являются германий и кремний, из которых изготавливаются полупроводниковые кристаллы. Главной частью полупроводникового прибора является контакт между полупроводниками с разным типом проводимости или металлами и полупроводниками. В полупроводниковых диодах и триодах с точечным контактом он достигается путем соприкосновения проволочного зонда с кристаллом, а в приборах с плоскостным контактом — путем сплавления кристалла с разными сплавами.

Технологический процесс изготовления полупроводниковых приборов начинается с введения (легирования) в чистый германий или кремний мышьяка, сурьмы, галия, индия и других примесей. Легирование может совмещаться с одновременным медленным вытягиванием монокристалла. Эта операция производится либо в печи зонной плавки в водородной среде с помощью индукционного нагрева, либо в вертикальной печи по методу Чехральского при температуре свыше 1000°С.

В процессе производства полупроводниковых приборов применяются разные интерметаллические соединения, такие, как свинец, алюминий, галий, индий, цинк сурьма и др. Приготовление этих соединений производится путем нагрева исходных компонентов либо в запаянных кварцевых пробирках (индий, галий и др.), либо, с целью удаления примесей, в открытых тиглях (свинец).

Слитки монокристаллического германия и кремния разрезаются в разных плоскостях на станках с ленточными и дисковыми пилами. Полученные диски, после прикрепления их пицеином (канифоль с воском) к приспособлению, шлифуются с последующим вырезанием кристаллов, которые затем отделяются путем растворения пицеииа в горячем трихлорэтилепе или толуоле. Чаще всего встречаются кристаллы величиной от I до 4 мм.

Готовые кристаллы, после мойки, которая в ряде случаев производится с помощью ультразвука, подвергаются травлению, при этом очень мелкие кристаллы предварительно напаиваются па кристаллодержатели. Германиевые кристаллы протравливаются в горячем растворе пергидроля, а кристаллы из кремния — в смеси, состоящей из плавиковой и азотной кислот.

Далее кристаллы плоскостных полупроводниковых приборов вместе с кусочками сплавов, электродами и другими мелкими деталями укладывают в графитовые кассеты и подвергают диффузионному отжигу в проходных трубчатых печах в водородной среде при температуре от 500 до 950°. В процессе отжига происходит наплавление сплавов и диффузия входящих в них элементов (индий, галлий, сурьма, свинец и др.) внутрь кристалла.

Полученные переходы с целью влагонепроницаемо-сти покрываются с помощью медицинского шприца компаундом, представляющим собой жидкий, быстро застывающий синтетический продукт, основной частью которого является бутиловый и метиловый эфир метакри-ловой кислоты. На последующих операциях сборки производится припаивание отдельных деталей, лужение электродов и другие работы с применением припоев, содержащих от 40 до 70% свинца.

Процесс сборки высокочастотных полупроводниковых приборов с точечным контактом наряду с операциями, требующими применения припоев, включает в себя ряд операций по заготовке и сборке деталей длиной 2— 3 мм и диаметром от 0,035 до 0,05 мм.

Собранные полупроводниковые приборы разбиваются по видам и испытываются. Высокочастотные приборы испытываются в специальных установках СВЧ. После испытания большинство полупроводниковых приборов окрашивается кистевым или пульверизационным способом эмалями и лаками, с применением в качестве растворителя, как правило, толуола.